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InAs
灰色颗粒,无气味 密度(g/mL,25℃):5.67
InAs晶体具有较高的电子迁移率和迁移率比值,低的磁阻效应和小的电阻温度系数,是制造霍耳器件和磁阻器件的理想材料。另外可以制造光纤通信用的激光器和探测器。
1KG / 塑料试剂瓶
CAS:12008-02-5
CAS:85-61-0
CAS:923-34-2
CAS:1312-41-0
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